9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7478DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7478DP-T1-GE3参考价格2.98000美元。Vishay Siliconix SI7478DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8。您可以下载SI7478DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7478DP-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8,包括TrenchFETR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表中显示了SI7478DP E3中使用的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及PowerPAKR SO-8封装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为PowerPAKR SO-8,配置为单,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为1.9W,晶体管类型为1 N沟道,漏极到源极电压Vdss为60V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为15A(Ta),最大Id Vgs的Rds为7.5mOhm@20A,10V,Vgs的最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为160nC@10V,Pd功耗为1.9W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为20纳秒,上升时间为20 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为15 A,Vds漏极-源极击穿电压为60 V,Rds导通-漏极电阻为7.5毫欧,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为115纳秒,典型的开启延迟时间为25ns,信道模式为增强。
SI7478DP,带有VISHAY制造的用户指南。SI7478DP在QFN封装中提供,是FET的一部分-单个。
SI7478DP-T1,带有VISHAY制造的电路图。SI7478DP-T1在QFN封装中提供,是FET的一部分-单个。