9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMTH6009LK3Q-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMTH6009LK3Q-13参考价格1.38000美元。Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252。您可以下载DMTH6009LK3Q-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMTH6005LPSQ-13，带有引脚细节，包括DMTH6005系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerDI5060-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.9 ns，上升时间为9.4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为47.1NC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMTH6005LPS-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMTH6005等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
DMTH6009LK3-13，带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于DMTH6009系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMTH6005LK3-13，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
