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FDS2672

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.77551 14.77551
10+ 13.27623 132.76236
100+ 10.66879 1066.87920
500+ 8.76564 4382.82350
1000+ 7.96878 7968.78300
2500+ 7.96878 19921.95750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.26851
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.78
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 3.9A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2535 pF@100 V
  • 色彩/颜色 -

FDS2672 产品详情

该单N沟道MOSFET采用先进的UItraFET Trench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • VGS=10V,ID=3.9A时,最大rDS(开)=70mΩ
  • VGS=6V,ID=3.5A时,最大rDS(开)=80mΩ
  • 快速切换速度
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC-DC转换
FDS2672所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS2672 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS2672价格参考¥14.268513,你可以下载 FDS2672中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS2672规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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