2SK209-BL(TE85L,F)

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 最大功耗 150mW（Ta）
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 漏源电压标 (Vdss) 50 V
• 导通电阻 Rds(ON) -
• 最大栅源极电压 (Vgs) -
• 供应商设备包装 SC-59
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13 pF @ 10 V
• 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TA）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 10毫安（Ta）
• 色彩/颜色 -