9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR872DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR872DP-T1-GE3价格参考值3.00000美元。Vishay Siliconix SIR872DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8。您可以下载SIR872DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR872ADP是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8,包括TrenchFETR系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.017870盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,商品名设计用于ThunderFET TrenchFET,以及PowerPAKR SO-8包装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为PowerPAKR SO-8,配置为单,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为104W,晶体管类型为1 N沟道,漏极-源极电压Vdss为150V,输入电容Cis-Vds为1286pF@75V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为53.7A(Tc),最大Id Vgs的Rds为18mOhm@20A,10V,Vgs的最大Id为4.5V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为47nC@10V,Pd功耗为104W,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为7ns,上升时间为10ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为53.7A,Vds漏极-源极击穿电压为150V,Vgs第h栅极-源极端电压为4.5V,Rds导通漏极-源极电阻为18m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为15ns,典型接通延迟时间为10ns,Qg栅极电荷为22.8nC,正向跨导最小值为30S。
SIR870DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8,包括3V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压,Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中,用于20 V,提供Vds漏极-源极击穿电压功能,例如100 V,单位重量设计用于0.017870盎司,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件在PowerPAKR SO-8供应商器件包中提供,该器件具有系列TrenchFETR,Rds On Max Id Vgs为6 mOhm@20A,10V,Rds On漏极-源极电阻为6 mOhm,Qg栅极电荷为55.7nC,功率最大值为104W,Pd功耗为104W。部件别名为SIR870DP-GE3,包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为PowerPAKR SO-8,工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为1个通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围-55°C,最大工作温度范围+150°C,输入电容Ciss Vds为2840pF@50V,Id连续漏极电流为60A,栅极电荷Qg Vgs为84nC@10V,正向跨导最小值为80S,FET类型为MOSFET N沟道,金属氧化物,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为100V,电流连续漏极Id 25°C为60A(Tc),配置为单一。
SIR872ADP-T1-GE3,带有VISHAY制造的电路图。SIR872ADP-T1-GE3在PPAKSO-8封装中提供,是IC芯片的一部分,N通道150V 53.7A(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)表面贴装PowerPAK?SO-8,Trans MOSFET N-CH 150V 12.8A 8引脚PowerPAK SO T/R,MOSFET 150V18mOhms@10V53.7A N-通道T-FET。