9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISA14DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISA14DN-T1-GE3参考价格为0.70000美元。Vishay Siliconix SISA14DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8。您可以下载SISA14DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SISA10DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。零件别名如数据表注释所示，用于SISA10DN-GE3，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为双通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为39W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2425pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.7mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为51nC@10V，Pd功耗为39W，其最大工作温度范围为+150℃，Vgs栅极-源极电压为2.2V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为3.7mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为15.4nC，沟道模式为增强型。
SISA12DN-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8。SISA12DN-T1-GE3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8。
SISA12JN-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SISA12JN-T1-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
