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FDS9431A

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.09804 7.09804
10+ 6.23613 62.36137
100+ 4.77886 477.88650
500+ 3.77804 1889.02050
1000+ 3.02246 3022.46200
2500+ 3.00522 7513.06000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.86675
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A(Ta)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 405 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@3.5A,4.5V
  • 色彩/颜色 -

FDS9431A 产品详情

增强型P沟道MOSFET,ON半导体

ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,从而为快速切换提供坚固可靠的性能。

特点和优点:

•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术

应用:

•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

特色

  • -3.5 A,-20 V RDS(开启)=0.130Ω@VGS=-4.5 V RDS(打开)=0.180Ω@VGS=-2.5 V
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
  • 电源管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护
FDS9431A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS9431A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS9431A价格参考¥5.866749,你可以下载 FDS9431A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS9431A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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