9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBG30PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBG30PBF价格参考2.68000美元。Vishay Siliconix IRFBG30PBF封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB。您可以下载IRFBG30PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBG20PBF是MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB，包括IRFBG20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有54 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为11欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为9.4ns，沟道模式为增强型。
IRFBF30STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK。IRFBF30CTRL有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 3.6B D2PAK，N沟道900V 3.6V（Tc）125W（Tc，表面安装D2PAK）。
IRFBG20是由IR制造的MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB。IRFBG20以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH1000V 1.4A-TO-220AA、N沟道1000V 1.4V（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
