9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR662DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR662DP-T1-GE3参考价格为2.10000美元。Vishay Siliconix SIR662DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR662DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR-56ST3F是EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4，包括IR型，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于T 1 3/4中，其工作温度范围为-25°C～85°C（TA），安装型设计用于通孔，以及100MA DC正向电流（如果最大），该设备也可以用作俯视图方向。此外，波长为950nm，设备提供30°视角，设备具有1.3V正向电压Vf Typ，辐射强度Ie Min If为5.6mW/sr@50mA。
SiR640ADP，带有VISHAY制造的用户指南。SiR640ADP采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
SIR640DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8。SIR640DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8、N沟道40V 60V（Tc）6.25W（Ta）、104W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 40V 45A 8引脚PowerPAK SO T/R。
