9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDC5661N-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDC5661N-F085参考价格为0.70000美元。onsemi FDC5661N-F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6。您可以下载FDC5661N-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDC5614P是MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6，包括卷轴封装，它们设计用于FDC5614P_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001270盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SSOT-6以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单四漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
FDC5614P_NL以及GP/FAIRCHILD制造的用户指南。FDC5614P_NL在SOT23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDC5614P-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC5614P-NL在TSOP-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDC5661N，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDC5661N采用SOT-23-6封装，是FET的一部分-单个。
