9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7322ADN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7322ADN-T1-GE3参考价格为0.71000美元。Vishay Siliconix SI7322ADN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK。您可以下载SI7322ADN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7309DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7309DNV-GE3中使用的零件别名，该SI7309DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19.8W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为600pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为115 mOhm@3.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为3.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-65℃，下降时间为35 ns 33 ns，上升时间为80 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为115 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33 ns 30 ns，并且典型的开启延迟时间是25ns 10ns，并且信道模式是增强。
SI7322DN-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如12 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为10 ns，器件的漏极电阻为58 mOhms Rds，器件的Pd功耗为3.8 W，部件别名为SI7322DN-E3，封装为卷轴式，封装外壳为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.5 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI-7321M是集成电路电机驱动器标准杆数44HSOP，包括通用应用，设计用于1.5A电流输出，功能如数据表注释所示，用于驱动器-完全集成、控制和功率级，提供接口功能，例如并联电机型交流直流电设计用于有刷直流电，以及单极电机型步进电机，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-20°C~150°C（TJ），该设备提供低侧（4）输出配置，该器件具有44-SSOP（0.291“，7.40mm宽）4个封装盒热片，封装为Digi-ReelR交替封装，阶跃分辨率为1、1/2、1/4、1/8、1/16，供应商器件封装为44-HSOP，技术为功率MOSFET，电压负载为10V~44V，电压供应为3V~5.5V。
