9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18502Q5B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18502Q5B价格参考2.86000美元。德州仪器CSD18502Q5B封装/规格：MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON。您可以下载CSD18502Q5B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18501Q5A是MOSFET N-CH 40V 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为3840pF@220V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为22A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs为3.2mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为155A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds漏极源极电阻为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为42nC。
CSD17C00A和CS制造的用户指南。CSD17C00A在QFP封装中提供，是IC芯片的一部分。
CSD18502KCS是TI制造的MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3。CSD18502KCS采用TO-220封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH40V 100A-TO220-3、N沟道40V 100V（Tc）259W（Tc）通孔TO-220-3、Trans-MOSFET N-CH-Si 40V 100A3-Pin（3+Tab）TO-220管、MOSFET 40-V、N-Chanel NxFT Pwr MOSFET。
