9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D5UFB4-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D5UFB4-7B参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DMP21D5UFB4-7B封装/规格：MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN。您可以下载DMP21D5UFB4-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP21D0UT-7是MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523，包括DMP21系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SOT-523等包装箱功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOT-523，该设备采用MOSFET P沟道、金属氧化物FET型，该设备最大功率为240mW，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为80pF@10V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为590mA（Ta），最大Id Vgs时的Rds为495mOhm@400mA，4.5V，Vgs的最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.54nC@8V，Pd功耗为240mW，Id连续漏极电流为650mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为960mOhm，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
DMP21D2UFA-7B，带有用户指南，包括-1V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为330 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP21系列，该器件的上升时间为37.3 ns，漏极-源极电阻Rds为1欧姆，Qg栅极电荷为0.8 nC，Pd功耗为360 mW，封装为卷轴式，封装盒为X2-DFN0806-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-330 mA，下降时间为163 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP21D0UFD-7是MOSFET MOSFET BVDSS：8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K，包括1.14 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于X1-DFN1202-3的封装盒，该封装盒提供卷轴、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在1.3欧姆，以及DMP21系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压。
