FDC5614P

Name: FDC5614P
Brand: 美森科 (MSKSEMI)
SKU: 7135801-FDC5614P
Price: 1.207116 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta）供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 美森科 (MSKSEMI)
交期:2-3 工作日

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600+	0.84601	507.60840
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规格参数

制造厂商美森科 (MSKSEMI)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
最大功耗 1.6W（Ta）
供应商设备包装 SuperSOT-6.
包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@3A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 759 pF @ 30 V
色彩/颜色 -

FDC5614P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

-3安培，-60伏
RDS（开启）=0.105Ω@VGS=-10 V
RDS（开启）=0.135Ω@VGS=-4.5 V
快速切换速度
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

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型号	制造商	描述	价格
FDC658P_NB4E011	安盛美 (onsemi)	IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT	¥0.32968
FDCD-37PF-610A100	广赖 (Hirose)	CONNECTOR	¥53.36569
FDC021N30	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.33173
FDC37C653QFP		FLOPPY DISK CONTROLLER	¥38.31494
FDC37M813QFP		PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER	¥16.87596
FDC37C65BLJP		2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER	¥43.52983
FDC37B777QFP		ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER	¥35.99721
FDC92C39BTP		ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE	¥84.81436
FDC37C669FRQFP		SUPER I/O WITH LPC INTERFACE	¥35.99721
FDC6332L	安盛美 (onsemi)	开关种类: 一般用途输出类别: P-通道输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端负载电压: 1.8伏~8伏供应商设备包装: SuperSOT-6.	¥21.00441

FDC5614P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDC5614P 由美森科 (MSKSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC5614P价格参考￥1.207116，你可以下载 FDC5614P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC5614P规格参数、现货库存、封装信息等信息！