9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5424DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5424DC-T1-GE3参考价格为0.90000美元。Vishay Siliconix SI5424DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8。您可以下载SI5424DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI5424DC-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5419DU-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表中显示了SI5419DU-GE3中使用的零件别名，该SI5419DU-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在8-PowerPakR CHIPFET？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的8-PowerPakR ChipFet，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为31W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1400pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@6.6A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为45nC@10V，Pd功耗为3.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为16 ns 12 ns，上升时间为33 ns 10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为20 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30 ns 40 ns，并且典型的开启延迟时间是47ns 10ns，并且信道模式是增强。
SI5414DC-T1-GE3是MOSFET 20V 6.0A 6.3W 17mohm@4.5V，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.002998 oz。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及40 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作6.3W Pd功率耗散。此外，零件别名为SI5414DC-GE3，该器件采用卷筒包装，该器件具有封装外壳的ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为6 a。
SI5424DC-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8。SI5424DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8、N沟道30V 6A（Tc）2.5W（Ta）、6.25W（Tc）表面安装1206-8 ChipFET？、？，Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8引脚片式FET T/R。
