一般说明
该P沟道MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可将导通电阻降至最低。该设备非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载切换应用。
特征
VGS=-10V,ID=-8.8A时,最大rDS(开启)=20m
VGS=-4.5V,ID=-6.7A时,最大rDS(开启)=35m
电池应用的扩展VGSS范围(-25V)
HBM ESD保护水平为±3.8KV(典型值)(注3)
用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
高功率和电流处理能力
终端为无铅且符合RoHS
特色
- VGS=–10V,ID=–8.8A时,最大rDS(开启)=20mΩ
- VGS=–4.5V,ID=–6.7A时,最大rDS(开启)=35mΩ
- 适用于电池应用的扩展VGSS范围(–25V)
- HBM ESD保护水平为±3.8KV(典型值)(注3)
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
- 高功率和电流处理能力
- 终端为无铅且符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
(图片:引出线)