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SSM3K37MFV,L3F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: VESM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.17287 2.17287
10+ 1.79623 17.96239
100+ 0.95389 95.38900
500+ 0.62738 313.69000
1000+ 0.42660 426.60700
2000+ 0.38481 769.63000
8000+ 0.33462 2676.97600
16000+ 0.28442 4550.86400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.17287
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.17
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 150mW(Ta)
  • 包装/外壳 SOT-723
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安(Ta)
  • 供应商设备包装 VESM
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@100毫安,4.5伏
  • 色彩/颜色 -

SSM3K37MFV,L3F 产品详情

  • 应用范围:高速开关/模拟开关
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅢ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1.0 V
  • 装配底座:5.6Ω
  • 装配底座:4.05Ω
  • 装配底座:3.02Ω
  • 装配底座:2.2Ω
  • 装配底座:12 pF

应用

高速开关/模拟开关
SSM3K37MFV,L3F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3K37MFV,L3F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3K37MFV,L3F价格参考¥2.172870,你可以下载 SSM3K37MFV,L3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3K37MFV,L3F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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