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PSMN1R8-40YLC是MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作272W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供6680pF@20V输入电容Cis Vds，该器件具有逻辑电平门，4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.8mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为96nC@10V。
PSMN1R7-60BS，118是MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于D2PAK供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于2 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如306W，封装设计用于Digi-ReelR交替封装，以及to-263-3，D2PAK（2引线+标签），TO-263AB包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供9997pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有137nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为120A（Tc）。
PSMN1R7-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R7-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R8-30PL，127是NXP制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN1R8-30PL，127可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB、N沟道30V 100A（Tc）270W（Tc）通孔TO-220AB、Trans MOSFET N-CH30V 100B 3引脚（3+Tab）TO-220AA导轨、MOSFET N-CHAN 30V 100C。
