9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2303CDS-T1-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2303CDS-T1-BE3参考价格为0.47000美元。Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23。您可以下载SI2303CDS-T1-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si2303CDS-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3，包括卷筒封装，它们设计用于Si2303CDS-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为37纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为190 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型接通延迟时间为36 ns，沟道模式为增强型。
SI2303BDS-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3。SI2303BDS-T1-E3以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3、P沟道30V 1.49A（Ta）700mW（Ta）表面安装SOT-23-3（TO-236）、Trans MOSFET P-CH30V 1.3A 3引脚SOT-23 T/R。
SI2303BDS-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3。SI2303BDS-T1-GE3以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3、P沟道30V 1.49A（Ta）700mW（Ta）表面安装SOT-23-3（TO-236）、Trans MOSFET P-CH30V 1.3A 3引脚SOT-23 T/R。
SI2303CDS，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI2303CDS在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
