FDC5612

Name: FDC5612
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7135825-FDC5612
Price: 1.371487 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta）供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	1.37148	1.37148
10+	1.10664	11.06643
30+	0.99314	29.79438
100+	0.82604	82.60460
600+	0.76298	457.79340

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A (Ta)
最大功耗 1.6W（Ta）
供应商设备包装 SuperSOT-6.
包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650 pF @ 25 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 4.3A, 10V
色彩/颜色蓝色

FDC5612 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。与具有类似RDS（ON）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是MOSFET易于驱动且更安全（即使在非常高的频率下），DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特色

4.3 A，60 V.RDS（开）=0.055Ω@VGS=10 V
RDS（开）=0.064Ω@VGS=6 V
低栅极电荷（典型值为12.5nC）
快速切换速度
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
超级SOT™-6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

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型号	制造商	描述	价格
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FDC37C653QFP		FLOPPY DISK CONTROLLER	¥38.31494
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FDC6332L	安盛美 (onsemi)	开关种类: 一般用途输出类别: P-通道输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端负载电压: 1.8伏~8伏供应商设备包装: SuperSOT-6.	¥21.00441

FDC5612所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDC5612 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC5612价格参考￥1.371487，你可以下载 FDC5612中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC5612规格参数、现货库存、封装信息等信息！