特色
- 导通电阻低。
- 高功率小型模具封装（HSMT8）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素
RQ3E120GNTB
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），16W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.07823 | 3.07823 |
- 库存: 30
- 单价: ¥3.07823
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.08
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
- 供应商设备包装 8-HSMT (3.2x3)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 8.8毫欧姆 @ 12A, 10V
- 最大功耗 2W（Ta），16W（Tc）
- 色彩/颜色 黑色
RQ3E120GNTB 产品详情
中功率MOSFET RQ3E120AT-TB适用于开关电源。
RQ3E120GNTB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQ3C150BCTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.14028 |
 | RQ3L090GNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.70549 |
 | RQ3E070BNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | RQ3E100BNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.5635 |
 | RQ3E180AJTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），30W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.60505 |
 | RQ3E080BNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
 | RQ3E100GNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），15W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.91117 |
 | RQ3E150GNTB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），17.2W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 |
 | RQ300 | OCCUNOMIX CLASSIC REGULAR LENGTH | ¥0.00 | |
| RQ301 | OCCUNOMIX CLASSIC REGULAR LENGTH | ¥0.00 |
RQ3E120GNTB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ3E120GNTB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ3E120GNTB价格参考￥3.078233，你可以下载 RQ3E120GNTB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ3E120GNTB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
