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FDB024N08BL7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 246W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.14207 36.14207
10+ 32.43370 324.33706
100+ 26.57275 2657.27520
800+ 22.62095 18096.76240
1600+ 21.67944 34687.11680
  • 库存: 0
  • 单价: ¥32.15848
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥36.14
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 178 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.4毫欧姆@100A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13530 pF@40 V
  • 最大功耗 246W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

FDB024N08BL7 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过专门设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • RDS(开)=1.7mΩ(典型值)@VGS=10V,ID=100A
  • 低FOM RDS(开启)*QG
  • 低反向恢复充电,Qrr
  • 软反向恢复体二极管
  • 实现同步整流的高效率
  • 快速切换速度
  • 符合RoHS
  • 根据JEDEC标准JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D进行认证。1

应用

  • AC-DC商用电源
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • AC-DC商用电源-台式电脑
  • 电动自行车
  • 其他数据处理
FDB024N08BL7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB024N08BL7 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB024N08BL7价格参考¥32.158476,你可以下载 FDB024N08BL7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB024N08BL7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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