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RF4E070BNTR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: HUML2020L8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.59103 6.59103
10+ 5.92469 59.24692
100+ 4.61807 461.80730
500+ 3.81469 1907.34550
1000+ 3.01159 3011.59800
3000+ 2.81082 8432.47500
6000+ 2.73781 16426.89600
  • 库存: 860
  • 单价: ¥6.59104
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.59
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 410 pF @ 15 V
  • 供应商设备包装 HUML2020L8
  • 包装/外壳 8-PowerUDFN
  • 导通电阻 Rds(ON) 28.6欧姆@7A,10V
  • 色彩/颜色

RF4E070BNTR 产品详情

RF4E070BNTR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RF4E070BNTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RF4E070BNTR价格参考¥6.591039,你可以下载 RF4E070BNTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RF4E070BNTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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