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RUR020N02TL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.96234 29.62346
100+ 2.21053 221.05330
500+ 1.73699 868.49600
1000+ 1.34225 1342.25400
3000+ 1.22383 3671.49900
6000+ 1.14488 6869.31000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@2A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 180 pF@10 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TSMT3
  • 包装/外壳 SC-96
  • 最大功耗 540mW (Ta)

RUR020N02TL 产品详情

N沟道MOSFET晶体管

特色

  • 低压(1.5V)驱动类型
  • Nch小信号MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RUR020N02TL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RUR020N02TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RUR020N02TL价格参考¥3.476592,你可以下载 RUR020N02TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RUR020N02TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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