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FDBL0630N150带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.029985盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如MO-299A-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单聚源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供500 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为169 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为70nC，沟道模式为增强。
FDBL86361_F085和用户指南，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于80 V，提供单位重量功能，如0.029986 oz，典型开启延迟时间设计为42 ns，以及87 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为73 ns，漏极-源极电阻Rds为3.1 mOhms，Qg栅极电荷为172 nC，Pd功耗为429 W，封装为卷轴式，封装盒为MO-299A-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为300 A，下降时间为48 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDBL86210_F085带有电路图，包括单组态，设计为在23 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了169 a中使用的Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为MO-299A-8，器件采用卷筒封装，器件具有500W的Pd功耗，Qg栅极电荷为70nC，Rds漏极-源极电阻为5mOhm，上升时间为30ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为39ns，单位重量为0.029985oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.8V。
