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CSD19532KTT是MOSFET CSD19532Q5B Pkg自旋，包括CSD19532KTT系列，它们设计用于卷盘封装，数据表说明中显示了在Si中使用的技术，该Si提供了信道数功能，如1信道，配置设计用于单信道以及1 N信道晶体管类型，该器件还可以用作250 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为136 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.2 V，Rds导通漏极-源极电阻为6.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为44nC，沟道模式为增强。
CSD19531Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19531Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、5.3mOhm、NexFET功率MOSFET”。
CSD19532KTTT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19532KTTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 100 V、N沟道100V 200A（Ta）250W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH Si 100V 200 A 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET 100伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET。
