9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17579Q3A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17579Q3A参考价格0.63000美元。德州仪器CSD17579Q3A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON。您可以下载CSD17579Q3A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD17579Q3A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD17578Q5AT是MOSFET 30V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD17578Q 5A系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000847盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于VSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有42 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为59 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导最小值为44S，沟道模式为增强。
CSD17578Q3AT是MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17578Q3A系列，上升时间为6 ns，漏极源极电阻Rds为8.2 mOhms，Qg栅极电荷为7.9 nC，Pd功耗为37 W，封装为卷轴，封装外壳为VSONP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为14 A，正向跨导最小值为48 S，下降时间为1 ns，配置为单一。
CSD17578Q5A是MOSFET 30V N-Chan NexFET？功率MOSFET 8-VSONP，包括59 A Id的连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表注释中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供SON-8等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及9.3 mOhms Rds漏极源电阻，该器件也可以用作CSD17578Q5A系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个N沟道的晶体管类型，单位重量为0.002677盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V。
