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CSD13381F4

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 3-PICOSTAR 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3000+ 0.44056 1321.69200
  • 库存: 60000
  • 单价: ¥0.32666
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 8V
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 供应商设备包装 3-PICOSTAR
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.1A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@500毫安,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@6 V
  • 色彩/颜色 -

CSD13381F4 产品详情

描述

这款140 mQ、12 V N沟道FemtoFET TM MOSFET技术经过设计和优化,可在许多手持和移动应用中最大限度地减少占地面积。该技术能够取代标准的小信号MOSFET,同时将占地面积至少减少60%。

特征

·低导通电阻

·低Qg和Qod

·低阈值电压

·超小占地面积(0402机箱大小)

一1.0mm×0.6mm

·超低轮廓

-0.35 mm高

·集成ESD保护二极管

-额定>4 kV HBM

-额定值>2 kV CDM

·无铅和无卤素

·符合RoHS



(图片:引线/示意图)

CSD13381F4所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD13381F4 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD13381F4价格参考¥0.326655,你可以下载 CSD13381F4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD13381F4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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