Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRLR3636TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 143W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 8.12813 | 812.81340 |
1000+ | 7.66801 | 7668.01500 |
3000+ | 6.82453 | 20473.60800 |
10000+ | 6.07379 | 60737.95000 |
50000+ | 5.72999 | 286499.80000 |
- 库存: 5432
- 单价: ¥14.88054
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.88
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
- 供应商设备包装 D-Pak
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
- 导通电阻 Rds(ON) 6.8毫欧姆 @ 50A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3779 pF @ 50 V
- 最大功耗 143W(Tc)
- 色彩/颜色 -
IRLR3636TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V,英飞凌
IRLR3636TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLR3636TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLR3636TRPBF价格参考¥14.880538,你可以下载 IRLR3636TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLR3636TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。