9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2366DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2366DS-T1-GE3参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SI2366DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3。您可以下载SI2366DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2365EDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4816DY-T1-E3-S的零件别名，该SI4816DY T1-E3-S提供单位重量功能，例如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为TO-236，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，25°C时电流连续漏极Id为5.9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为36nC@8V，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21us，上升时间为32us，Id连续漏极电流为-5.9A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1V，Rds漏极源极电阻为32m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为62us，典型导通延迟时间为9us，Qg栅极电荷为13.8nC。
Si2366DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如5 ns，典型的关闭延迟时间设计为14 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为30mOhm，Qg栅极电荷为6.4nC，Pd功耗为2.1W，零件别名为SI2366DS-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SOT-23-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，并且Id连续漏极电流为5.8A，并且正向跨导Min为13S，并且下降时间为8ns，并且配置为单。
SI2366DS是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23。SI2366DS采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23。
SI2366DS-T1-E3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SI2366DS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
