9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4401EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4401EY-T1_GE3参考价格$3.07000。Vishay Siliconix SQ4401EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO。您可以下载SQ4401EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4284EY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为30nC。
SQ4330EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SQ4330EY-T1-GE3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SQ4401EY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SQ4401EY-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
