9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7812DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7812DN-T1-E3参考价格为2.17000美元。Vishay Siliconix SI7812DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8。您可以下载SI7812DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7810DN-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SI7810DN-1的零件别名，该SI7810DN T1提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为62 mOhm@5.4A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为62mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
Si7812DN-T1-E3是MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了典型的开启延迟时间，用于20 ns 15 ns，提供典型的关断延迟时间功能，例如20 ns 35 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为130 ns 20 ns，器件的漏极电阻为37 mOhms Rds，器件具有3.8 W的Pd功耗，部件别名为SI7812DN-E3，封装为卷轴式，封装外壳为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为7.2 A，下降时间为50 ns 10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7810DN-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。SI7810DN-T1采用QFN封装，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
SI7812DN，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7812DN在POWERP封装中提供，是FET的一部分-单个。
