9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2018LFK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2018LFK-7参考价格为0.49000美元。Diodes Incorporated DMP2018LFK-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN。您可以下载DMP2018LFK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2010UFG-13带有引脚细节，包括DMP2010系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件提供900mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为-42 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-400mV，Rds导通漏极-漏极电阻为12.5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为235ns，典型接通延迟时间为9.7ns，Qg栅极电荷为103nC，沟道模式为增强。
DMP2010UFG-7，带有用户指南，包括-400 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为9.7 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在DMP2010系列中提供，该器件的上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为12.5 mOhms，Qg栅极电荷为103 nC，Pd功耗为900 mW，封装为卷轴式，封装盒为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-42 A，下降时间为110 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2012SN-7是MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了20纳秒的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如-700 mA，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-23-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为500 mW，Rds漏极-源极电阻为300 mOhms，上升时间为20 ns，系列为DMP2012，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为5ns，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
