9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D0UT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D0UT-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMP21D0UT-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523。您可以下载DMP21D0UT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP21D0UFB-7B是MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd.43W-8Vgss-5.0A，包括DMP21D0UFB系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如X1-DFN1006-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1P通道ESD配置。此外，晶体管类型为1 P沟道ESD，器件提供430 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18.5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为+/-8 V，Id连续漏电流为-770 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-700mV，Rds导通漏极-漏极电阻为960mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为31.7ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为1.5nC，正向跨导最小值为50mS，并且信道模式是增强。
DMP21D0UFB-7是MOSFET MOSFET P-CH，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与P沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了DMP21等系列功能，Rds漏极源极电阻设计为工作在960 mOhms，该装置也可用作X1-DFN1006-2包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1.17 A Id连续漏电流。
DMP21D0UFD-7是MOSFET MOSFET BVDSS：8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K，包括1.14 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于X1-DFN1202-3的封装盒，该封装盒提供卷轴、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在1.3欧姆，以及DMP21系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压。
