久芯网

FCB070N65S3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 33.67948 33.67948
10+ 30.23910 302.39108
100+ 24.77361 2477.36150
800+ 21.08944 16871.55360
1600+ 20.21167 32338.68000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥33.67949
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33.68
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 44A (Tc)
  • 最大功耗 312W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 4.4毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3090 pF @ 400 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 22A, 10V
  • 色彩/颜色

FCB070N65S3 产品详情

费尔柴尔德超级FET� III型MOSFET为高压(TJ=150时为700V�C) 具有电荷平衡技术的超级结(SJ)MOSFET。该技术提供了出色的低导通电阻(典型的59m或62m RDS(导通))和较低的栅极充电性能(典型的78nC Qg)。SuperFET III MOSFET被设计为最小化传导损耗,提供优异的开关性能,并承受漏极-源极电压(dv/dt)的极端上升率。Fairchild SuperFET III是小型化和高效率的各种电源系统的理想选择。

特色

  • 700 V@TJ=150 oC
  • 低温运行时系统可靠性更高
  • 超低栅极电荷(典型Qg=78 nC)
  • 降低开关损耗
  • 低有效输出电容(典型cos(eff.)=715 pF)
  • 降低开关损耗
  • 优化的电容
  • 较低峰值Vds和较低Vgs振荡
  • 类型。RDS(开启)=62 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS
  • 波峰焊接保证

应用

  • 电信
  • 云系统
  • 工业的
  • 电信电源
  • 服务器电源
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能/UPS
FCB070N65S3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCB070N65S3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCB070N65S3价格参考¥33.679485,你可以下载 FCB070N65S3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCB070N65S3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部