9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7115DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7115DN-T1-GE3参考价格为2.17000美元。Vishay Siliconix SI7115DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8。您可以下载SI7115DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si7115DN-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si7115DN-E3的零件别名，该Si7115DN-13提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.7W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为34 ns 35 ns，上升时间为95 ns 28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Rds导通漏极-电源电阻为295mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns 52ns，典型接通延迟时间为20ns 11ns，沟道模式为增强型。
SI7114DN-T1-GE3-S和用户指南SI7114DN-T1-GE3-S可在QFN封装中获得，是IC芯片的一部分。
SI-7115B，电路图由SANKEN制造。SI-7115B在SIP包中提供，是模块的一部分。
