9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7463DP-T1-E3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7463DP-T1-E3参考价格为3.08000美元。Vishay Siliconix SI7463DP-T1-E3封装/规格:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8。您可以下载SI7463DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7463ADP-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8,包括TrenchFETR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装,产品名称显示在数据表注释中,用于TrenchFET,提供封装外壳功能,如PowerPAKR SO-8,技术设计用于Si,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,信道数为2信道,该设备在PowerPAKR SO-8供应商设备包中提供,该设备具有MOSFET P信道,FET型金属氧化物,最大功率为39W,晶体管类型为2 P信道,漏极到源极电压Vdss为40V,输入电容Cis-Vds为4150pF@220V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为46A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为10mOhm@15A,10V,Vgs最大Id为2.3V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为144nC@10V,晶体管极性为P沟道。
SI7463ADP-T1,带有VISHAY制造的用户指南。SI7463ADP-T1在QFN8封装中提供,是FET的一部分-单个。
SI7463DP,带有SI制造的电路图。SI7463DP采用QFN-8封装,是FET的一部分-单个。