9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7463DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7463DP-T1-GE3参考价格为3.08000美元。Vishay Siliconix SI7463DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8。您可以下载SI7463DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7463DP-T1-E3是MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7463DT-T1中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为9.2mOhm@18.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为140nC@10V，Pd功耗为1.9W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为200纳秒，典型的开启延迟时间为20ns，信道模式为增强。
SI7463ADP-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于P沟道，提供TrenchFET等商标特性，技术设计用于Si，以及PowerPAKR SO-8供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为10 mOhm@15A，10V，该器件提供39W Power Max，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为4150pF@20V，栅极电荷Qg Vgs为144nC@110V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为46A（Tc）。
SI7463DP，带有SI制造的电路图。SI7463DP采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
