特色
- 沟槽技术
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 无引线ChipFET™ 封装的占地面积比TSOP-6小40%
- 优异的热性能
应用
- DC-DC转换
- 负载/电源开关
- 低压侧开关
- 笔记本电脑，打印机，手机，PMP，DSC，GPS，便携式游戏
（图片：引出线）
NTHS4166NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.80832 | 6.80832 |
| 10+ | 6.06955 | 60.69550 |
| 100+ | 4.73323 | 473.32350 |
| 500+ | 3.91000 | 1955.00350 |
| 1000+ | 3.27393 | 3273.93600 |
| 3000+ | 3.27400 | 9822.02400 |
- 库存: 1666
- 单价: ¥6.80833
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.81
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 最大功耗 800mW (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 供应商设备包装 ChipFET
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900 pF @ 15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.9A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@4.9A，10V
- 色彩/颜色 -
NTHS4166NT1G 产品详情
功率MOSFET 30V，8.2A，单N沟道ChipFET™ 包裹
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 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHS4166NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTHS4166NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHS4166NT1G价格参考￥6.808326，你可以下载 NTHS4166NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHS4166NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
