9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR871DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR871DP-T1-GE3参考价格为2.18000美元。Vishay Siliconix SIR871DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8。您可以下载SIR871DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR870DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR870DP-GE3的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及PowerPAKR SO-8封装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为PowerPAKR SO-8,配置为单,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为104W,晶体管类型为1 N沟道,漏极-源极电压Vdss为100V,输入电容Cis-Vds为2840pF@50V,FET特性为标准,25°C时的电流连续漏极Id为60A(Tc),最大Id Vgs的Rds为6 mOhm@20A、10V,Vgs的最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为84nC@10V,Pd功耗为104 W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为60 A,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,Vgs第栅极-源极端电压为3 V,Rds漏极源极电阻为6 m欧姆,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为55.7nC,正向跨导Min为80S。
SIR866DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.017870盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如42纳秒,典型的关闭延迟时间设计为66纳秒,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为SIRxxxDP系列,该器件的上升时间为23 ns,漏极-源极电阻Rds为20.5 mOhms,Pd功耗为5.4 W,零件别名为SIR866DP-GE3,包装为卷轴式,包装盒为SO-8,通道数为1通道,安装样式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为60 A,正向跨导最小值为78 S,下降时间为49 ns,配置为单四漏三源,信道模式为增强型。
SIR866DP带有SI制造的电路图。SIR866DP以QFN-8封装形式提供,是FET的一部分-单个。
SIR866DP-T1-E3,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR866DP-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。