Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对4.5 V栅极驱动电压（称为逻辑电平）进行优化，并能够在2.5 V栅极驱动电流（称为超级逻辑电平）下驱动
- 行业标准表面安装电源组件
- 高RDS（ON）PQFN 3.3x3.3封装的潜在替代品
IRLHS6342TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta） 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.47611 | 44.76112 |
| 100+ | 3.43241 | 343.24100 |
| 500+ | 2.71348 | 1356.74000 |
| 1000+ | 2.26123 | 2261.23300 |
| 4000+ | 2.26123 | 9044.93200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@10A.
- 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)
- 包装/外壳 6-PowerVDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 2.1W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.7A (Ta), 19A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 15.5毫欧姆@8.5A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1019 pF@25 V
- 色彩/颜色 -
IRLHS6342TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
IRLHS6342TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRL 81A-RS | 欧思朗 (OSRAM) | HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N | ¥61.65157 |
 | IRL3803PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLHS6342TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLHS6342TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLHS6342TRPBF价格参考￥5.142459，你可以下载 IRLHS6342TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLHS6342TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
