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BSC010N04LS6ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.35254 20.35254
10+ 18.31005 183.10051
100+ 14.71757 1471.75730
500+ 12.09202 6046.01100
1000+ 11.51621 11516.21100
5000+ 11.51621 57581.05500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.35255
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.35
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4600 pF @ 20 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta), 100A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1毫欧姆@50A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 67 nC @ 4.5 V
  • 最大功耗 3W (Ta), 150W (Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

BSC010N04LS6ATMA1 产品详情

英飞凌的40V和60V MOSFET产品系列不仅具有业界最低的RDS(打开)而且对于快速切换应用也是完美的切换行为。R降低15%DS(打开)和31%的低品质因数(RDS(打开)x质量)与替代器件相比,已经通过先进的薄晶圆技术实现了。

特色

  • 针对同步整流进行了优化
  • RDS(开启)比其他设备低15%
  • FOM比同类设备提高31%
  • 符合RoHS标准-无卤素
  • MSL1额定值
  • 最高的系统效率
  • 需要更少的并联
  • 提高功率密度
  • 降低系统成本
  • 极低电压过冲

应用

  • 同步整流
  • 太阳能微型逆变器
  • 隔离DC-DC转换器
  • 电机控制
  • 或ing开关
BSC010N04LS6ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC010N04LS6ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC010N04LS6ATMA1价格参考¥20.352549,你可以下载 BSC010N04LS6ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC010N04LS6ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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