9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4101DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4101DY-T1-GE3参考价格为0.95000美元。Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO。您可以下载SI4101DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4100DY-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI4100DY-E3中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为600pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为63 mOhm@4.4A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通-漏极-漏极电阻为63mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns15ns，典型接通延迟时间为15ns10ns，沟道模式为增强。
SI4100DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC，包括4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.006596盎司，典型的开启延迟时间设计为15 ns 10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为12ns，漏极-源极电阻Rds为63mOhms，Qg栅极电荷为13.5nC，Pd功耗为2.5W，部件别名为SI4100DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.4 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4100DY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4100DY-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
Si4101DY是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC。Si4101DY采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC。
