光学MOS™ 英飞凌的5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专门设计用于电信模块的同步整流,包括Oring、热插拔和电池保护以及服务器电源应用。与同类设备相比,该设备的RDS(开启)较低,为22%,该行业领先的FOM的最大贡献之一是低开启状态电阻,提供最高水平的功率密度和效率。
特色
- 针对同步整流进行了优化
- 适用于高开关频率
- 输出电容提高高达44%
- 与上一代相比,R DS(on)减少了43%
- 最高的系统效率
- 减少开关和传导损耗
- 需要更少的并联
- 提高功率密度
- 低压过冲
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 23.90157 | 23.90157 |
10+ | 21.43898 | 214.38984 |
100+ | 17.23375 | 1723.37560 |
500+ | 14.15900 | 7079.50000 |
1000+ | 13.48483 | 13484.83100 |
2500+ | 13.48483 | 33712.07750 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
光学MOS™ 英飞凌的5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专门设计用于电信模块的同步整流,包括Oring、热插拔和电池保护以及服务器电源应用。与同类设备相比,该设备的RDS(开启)较低,为22%,该行业领先的FOM的最大贡献之一是低开启状态电阻,提供最高水平的功率密度和效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。