9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4800BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4800BDY-T1-GE3参考价格为0.96000美元。Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO。您可以下载SI4800BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4800BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI48000BDY-T1的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为18.5 mOhm@9A，10V，Vgs最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为18.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强型。
SI4800BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4800BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4800BDY-T1-E3…，带有VISHAY制造的电路图。SI4800BDY-T1-E3..采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
