9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD25481F4T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD25481F4T参考价格为0.93000美元。德州仪器CSD25481F4T封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR。您可以下载CSD25481F4T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD25481F4是MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm，包括CSD25481F4系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于PicoStar-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单通道，该器件为1 P通道晶体管类型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6.7 ns，上升时间为3.6 ns，Vgs栅源电压为-12 V，并且Id连续漏极电流为-2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-950mV，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16.9ns，典型导通延迟时间为4.1ns，Qg栅极电荷为0.913nC，并且正向跨导Min为3.3S。
CSD25480F3是MOSFET-20V P沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR-55至150，包括硅技术，它们设计用于CSD25480F3系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
CSD25404Q3T是TI制造的“MOSFET-20V”。CSD25404Q4T采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET-20V、P沟道20V 104A（Tc）2.8W（Ta）、96W（Tc）表面安装8-VSON（3.3x3.3）、Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET-20W、P沟道NexFET Pwr MOSFET。
