9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4403DDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4403DDY-T1-GE3参考价格为0.50000美元。Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC。您可以下载SI4403DDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如SI4403DDY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4403CDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC，包括SI4403CDY系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该器件还可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有5W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为13.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为15.5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为108ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为90nC，并且前向跨导Min为40S，并且信道模式为增强。
SI4403DY是由VIS制造的Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N。SI4403DY采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N。
SI4403DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。SI4403DY-T1采用SO-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。
Si4403DY-T1-E3是由10VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。Si4403DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 20V 6.5A 8引脚SOIC N T/R。
