增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- RDS（开启）=49mΩ （最大值）@VGS=10V，ID=26A
- 低栅极电荷（典型值49nC）
- 低铬（典型值66pF）
- 100%雪崩测试
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB52N20TM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.84554 | 19.84554 |
| 10+ | 17.82477 | 178.24777 |
| 100+ | 14.32428 | 1432.42830 |
| 800+ | 11.76891 | 9415.13280 |
| 1600+ | 10.69906 | 17118.50720 |
- 库存: 0
- 单价: ¥19.84555
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.85
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 52A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2900 pF@25 V
- 最大功耗 357W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 49毫欧姆 @ 26A, 10V
- 色彩/颜色 -
FDB52N20TM 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
FDB52N20TM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDBD-25S(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT | ¥81.12048 |
| FDBD-25P(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB52N20TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB52N20TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB52N20TM价格参考￥19.845546，你可以下载 FDB52N20TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB52N20TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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