特色
- 5.5 A,30 V。
- RDS(开启)=30 mΩ@VGS=4.5 V
- RDS(开启)=26 mΩ@VGS=10 V
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 低栅极电荷(典型值为13 nC)
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 4.99760 | 4.99760 |
10+ | 4.38919 | 43.89197 |
100+ | 3.36432 | 336.43270 |
500+ | 2.65944 | 1329.72400 |
1000+ | 2.12752 | 2127.52900 |
3000+ | 2.11543 | 6346.30200 |
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