9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR800ADP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR800ADP-T1-RE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SIR800ADP-T1-RE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK。您可以下载SIR800ADP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIR800ADP-T1-RE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIR770DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR770DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为17.8W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为900pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，Rds On Max Id Vgs为21mOhm@8A，10V，Vgs th Max Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为21 nC@10V，Pd功耗为17.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.2 V至2.8 V，Rds漏极源极电阻为17.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为14 nC，并且正向跨导Min为31S。
SIR698DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8，包括3.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供195 mOhm@2.5A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有230 mOhm Rds On Drain Source电阻，最大功率为23W，Pd功耗为23W；零件别名为SIR698DP-GE3，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为PowerPAKR SO-8，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为210pF@50V，Id连续漏电流为7.5A，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为7.5A（Tc），配置为单一。
SiR774DP-T1-GE3是MOSFET 30伏特40安培62.5瓦，包括单级肖特基二极管配置，它们设计为在10纳秒下降时间下工作，数据表注释中显示了95秒内使用的正向跨导最小值，提供了Id连续漏极电流特性，如40 a，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，该装置也可用作SO-8包装箱。此外，封装为Reel，该器件以SIR774DP-GE3部件别名提供，该器件具有62.5 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为58 nC，Rds漏极-源极电阻为2.1 mOhm，上升时间为10 ns，系列为SIRxxxDP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SiR770DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SiR770DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
